[14a-B12-1~11] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[14a-B12-6] ナノワイヤ型シリコンデバイスで観測された逆向きの熱起電力

〇橋本 修一郎¹、麻田 修平¹、徐 泰宇¹、大場 俊輔¹、松川 貴²、渡邉 孝信¹ (1.早大理工、2.産総研)

キーワード：シリコンナノワイヤ、熱電発電

IoT（Internet of Things）社会の実現のため、身の回りの微小エネルギーから発電を行うエネルギー・ハーベスターの需要が高まりつつある。シリコン材料はナノ構造化により熱電発電効率が向上することが知られており、CMOSプロセスにより安価に熱電発電デバイスを製造できる可能性を秘めている。今回我々は、トップダウンプロセスで作製したn型シリコンナノワイヤデバイスの熱電特性を評価したところ、n型シリコンの負のゼーベック係数からは考えられない正方向の熱起電力を観測したた。講演当日は、この逆向きの熱起電力について発表を行っていく。