2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

9 応用物性 » 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

[14a-D62-1~12] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

2016年9月14日(水) 09:00 〜 12:15 D62 (万代島ビル6階D2)

深田 直樹(物材機構)

10:15 〜 10:30

[14a-D62-6] アモルファスSbナノ粒子における結晶化プロセスの超高圧電顕内マイクロ秒スケールその場観察

保田 英洋1 (1.阪大超高圧電顕)

キーワード:ナノ粒子、電顕内その場観察

半金属のアモルファス材料は、アモルファス-結晶相転移による相変化型メモリー材料等に用いられ、記録容量を上げるためには記録領域を小さくする必要がある。ナノ領域における相転移の挙動はバルクとは異なるが、相転移速度やその機構は明らかではない。本研究においては、アモルファスSbナノ粒子をとりあげ、相転移速度やその機構について明らかにするために、電子照射による結晶化過程をその場観察し、結晶化のミクロプロセスに関する知見を得ることを目的とする。室温に保持したアモルファスカーボン支持膜上のアモルファスSbナノ粒子を、超高圧電顕(JEOL JEM-1000EES)内において加速電圧1MVで電子照射し、結晶化過程をその場観察した。粒径約60nmのアモルファスナノ粒子の結晶化過程において、結晶核生成位置はナノ粒子表面である。アモルファス/結晶界面の移動速度は、約10マイクロ秒/sであると評価される。