[14a-P6-1~20] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-P6-12] Si基板上AlGaN/GaN/GaN:Cヘテロ構造のターンオン容量回復特性

〇中野 由崇¹、近松 晃仁¹ (1.中部大工)

キーワード：AlGaN/GaNヘテロ構造、ターンオン容量回復特性、欠陥準位

炭素ドーピングを行ったSi基板上AlGaN/GaN/GaN:Cヘテロ構造のストレス電圧印加後のターンオン容量回復特性評価と光容量過渡分光法(SSPC:Steady-State Photo-Capacitance Spectroscopy)による欠陥準位評価を行い、両者の相関を検討した。