2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.1 バルク結晶成長

[14p-A25-1~21] 15.1 バルク結晶成長

2016年9月14日(水) 13:15 〜 19:00 A25 (202)

横田 有為(東北大)、荻野 拓(産総研)

16:15 〜 16:30

[14p-A25-11] 国際宇宙ステーション内の長期微小重力環境下におけるGaSb(111)Ga面及びSb面種結晶からのInGaSb三元混晶結晶成長

早川 泰弘1、Velu Nirmal Kumar1、Mukannan Arivanandhan1、小山 忠信1、百瀬 与志美1、阪田 薫穂2、小澤 哲夫3、岡野 泰則4、稲富 裕光2 (1.静岡大電子研、2.宇宙航空研究開発機構、3.静岡理工科大、4.大阪大)

キーワード:国際宇宙ステーション、InGaSb三元混晶、結晶面方位

国際宇宙ステーション内の微小重力環境下でGaSb種結晶/InSb/GaSb供給原料から構成されるサンドイッチ構造試料を用いて、InGaSb混晶半導体の結晶成長実験を実施し、GaSb種結晶の面方位の相違が結晶溶解、成長過程に及ぼす効果を調べた。GaSb(111)B面の方が(111)A面よりも溶解しやすく、InGaSb結晶成長速度が大きいことがわかった。これは、GaSb(111)B面の方が(111)A面よりも原子結合数が少ないためであり、供給原料の溶解が結晶成長速度に影響を及ぼすことが示された。