[14p-A26-1~16] 6.2 カーボン系薄膜

△ [14p-A26-15] ダイヤモンド電解質溶液ゲートFETのしきい値

〇(DC)稲葉 優文¹、五十嵐 圭為¹、楢村 卓朗¹、阿部 修平¹、柴田 将暢¹、新谷 幸弘²、平岩 篤¹、川原田 洋^1,3 (1.早大先進理工、2.横河電機、3.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、電解質溶液ゲートFET、しきい値電圧

ダイヤモンド電解質溶液ゲートFET（SGFET）によるpHセンサは、口腔内などの生体のpHを長期にモニタリングする用途に期待されている。これまで我々はダイヤモンドSGFETを作製し、そのpHセンサ能などを報告してきた。これはノーマリーオフの特性を示している。これに対して、C-Hダイヤモンド表面にAl₂O₃のゲート絶縁膜兼パッシベーション膜を形成した2DEGによるダイヤモンドMOSFETは、ノーマリーオンの特性を示す。今回、C-HダイヤモンドSGFETのしきい値に焦点を絞って議論する。