[14p-A33-1~15] 機能性原子薄膜材料の新展開－成膜技術－

[14p-A33-6] CVD法による遷移金属ダイカルコゲナイド膜成長における基板依存性

〇林 賢二郎¹ (1.富士通研)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、気相化学堆積法

サファイア基板上では成長したMoS₂が一部の方位に優先的に配向することが報告されている。このようなエピタキシャルな成長は、TMDCと各基板表面間の格子整合性に起因していると考えられるが、基板の面方位の依存性については調べられていない。当日は、TMDCの結晶成長と基板表面との相関について調べた最近の研究結果を紹介する。