[14p-A34-1~10] 13.10 化合物太陽電池

[14p-A34-8] 蛍光X線ホログラフィーによるMBE成長CuGaSe₂/GaAsの構造評価

〇白方 祥¹、八方 直久²、細川 伸也³、木村 耕治⁴、林 好一⁴ (1.愛媛大工、2.広島市大情報、3.熊本大理、4.名工大工)

キーワード：CuGaSe2、蛍光X線ホログラフィー、エピタキシャル薄膜

CuGaSe₂の構造を、局所的な原子配置を三次元で評価する新手法である薄膜蛍光X線ホログラフィー法により行った。MBE法によりGaAs(100)上に成長した300mn膜厚の(001) CuGaSe₂を試料に用いた。9.20KeV~12.7KeVの8種類のエネルギーのX線を入射し、CuGaSe₂中のCu原子のKa蛍光X線を検出し、ホログラムを作成した。Cu原子を中心に再生したCuGaSe₂の陽イオン面の原子像において第10近接原子程度までの原子像が明瞭に得られた。