[14p-A37-1~17] 6.4 薄膜新材料

△ [14p-A37-12] レーザーアニールによる不純物ドープβ-Ga₂O₃薄膜の低温固相エピタキシャル結晶化

〇内田 啓貴¹、中村 稀星¹、土嶺 信男²、小山 浩司³、金子 智^4,1、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大、2.(株)豊島製作所、3.(株)並木精密宝石、4.神奈川県産技セ)

キーワード：酸化ガリウム、レーザーアニール

β-Ga₂O₃エピタキシャル薄膜はエレクトロニクスへの広い応用が期待されており、ドナーを用いたキャリア濃度制御の報告もある。結晶成長を制御することにより界面急峻性の改善などデバイスプロセスの進展に寄与することができる。本研究では不純物ドープGa₂O₃非晶質薄膜のELAによる低温エピタキシャル結晶化を目的とし、レーザー照射条件による結晶性への影響、およびドーパントによる薄膜の構造や導電性への影響について検討した。