[14p-B4-1~15] 3.15 シリコンフォトニクス

[14p-B4-1] InP-Si MOS構造光変調器の作製と評価

〇開 達郎^1,2、相原 卓磨¹、長谷部 浩一^1,2、武田 浩司^1,2、藤井 拓郎^1,2、土澤 泰^1,2、硴塚 孝明^1,2、山本 剛¹、松尾 慎治^1,2 (1.ＮＴＴ先端集積デバイス研、2.ナノフォトニクスセンタ)

キーワード：光変調器

n型InPとp型Siを用いたMOS構造光変調器を作製した。チップ端面反射によるファブリペロ共振ピークが電圧印加により短波長側へシフトすることから、MOSの蓄積電荷による屈折率変化が確認できた。