[14p-P10-1~25] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[14p-P10-17] 極薄チャネルZnO-TFTにおける熱処理の効果

〇(M2)池内 達紀¹、若林 岳¹、佐々木 涼介¹、高木 誠也¹、村中 司¹、鍋谷 暢一¹、松本 俊¹ (1.山梨大院総研)

キーワード：ZnO-TFT、熱処理

我々のグループでは、TFT デバイス構造を直接評価する目的で、電流DLTS 法によるデバイス特性の評価と解析を進めている。今回の発表では、ZnO 薄膜およびそれをチャネルに用いたTFT に対し酸素雰囲気中で熱処理を施し、構造および電気的特性評価を行った結果について報告する。