[14p-P14-1~11] 3.11 フォトニック構造・現象

[14p-P14-10] シリコン細線導波路にドープしたベリリウム等電子中心

〇角倉 久史^1,2、倉持 栄一^1,2、納富 雅也^1,2 (1.NTTﾅﾉﾌｫﾄﾆｸｽｾﾝﾀ、2.NTT物性基礎研)

キーワード：等電子中心、シリコン導波路

最適化されたイオン注入と高速アニールによってベリリウム（Be）等電子中心がドープされたSi細線導波路を作製し、低温における等電子中心の光吸収およびフォトルミネッセンスを測定した。その結果、注入イオンドーズ量が増加するとSi薄膜外への外方拡散損失が増えたがSi薄膜中に残ったBe等電子中心による光吸収と発光が観測され、他の不純物に比べて大きな振動子強度を持つことが分かった。