[14p-P21-1~27] 13.10 化合物太陽電池

[14p-P21-11] ナノ粒子前駆体を用いたCu₂ZnSnS,Se₄薄膜の作製

〇鈴木 俊正¹、堀 茂雄²、鈴木 吏²、野々村 修一² (1.JFCC、2.岐阜大院工)

キーワード：ナノ粒子、半導体、太陽電池

本研究では、ナノ合成を合成し、得られたナノ粒子をモリブデン基板上に塗布し、焼成雰囲気によるCZTSナノ粒子の薄膜化に及ぼす影響について調べた。その結果、Se蒸気下で焼成するとCZTSのピークは確認されず、Cu₂ZnSnSe₄(CZTSe)のピークのみ現れた。温度の増加と共に、膜の結晶粒は、増大したが、500^oC以上に成ると異常粒成長が起こり、膜とは別に粒子が点在していることが確認された。この結果、従来500^oC以上で焼成されていた膜は、450^oC以下にする必要があることがわかった。また、焼成時間を10分から60分に変更したところ、60分では、SnSeなどの異相が形成されることがわかった。