[14p-P22-1~15] CS.4 9.4熱電変換，16.2エナジーハーベスティングのコードシェアセッション

△ [14p-P22-6] a-InGaZnO薄膜の熱電特性における膜厚とアニールの影響

〇多和 勇樹¹、上沼 睦典¹、藤本 裕太¹、岡本 尚文¹、石河 泰明¹、山下 一郎¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大)

キーワード：熱電変換素子、酸化物半導体、膜厚依存性

熱電変換素子は，身近な熱エネルギーを有効活用することからクリーンデバイスとして注目されている。我々は熱電変換素子の透明化やフレキシブル化を目指してアモルファス酸化物半導体材料に着目している。これまでa-InGaZnO(a-IGZO)成膜時の酸素流量比を制御することで，キャリア密度の最適化を行い熱電特性の向上を実現している。本研究ではa-IGZOの熱電特性の膜厚依存性とアニールについて評価を行ったので報告する。