[14p-P5-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[14p-P5-6] AlSi/TiNバンプおよびACPを用いた汎用集積回路への3次元接続評価

〇(B)三石 昂洋¹、秋山 正弘¹、Dali Zhang²、Myung-Jae Lee²、Edoardo Charbon² (1.長野高専、2.TUDelft)

キーワード：3次元集積化技術

ACPを用いた接合は，バンプ/電極間の導通と封止を１回の低温熱圧着で達成できるため，低コストな狭ピッチ接合技術として有用視されている．バンプの主な材料には，金，銀，銅，ニッケル，はんだなどがある．しかし，これらの材料はCMOSプロセスと互換性が無く，バンプ製作後にCMOSプロセス装置を利用することは出来ない．我々はCMOSプロセスに互換性のあるバンプ材料としてAlSi/TiNを利用してCOC(Chip on Chip)構造を製作し、接合抵抗評価を行った．