[14p-P5-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[14p-P5-8] フォトリソグラフィとUVキュア処理によるナノギャップ電極アレイ形成

粂内 真子¹、熊谷 慎也¹、趙 亨峻²、近藤 博基²、石川 健治²、堀 勝²、〇佐々木 実¹ (1.豊工大、2.名大)

キーワード：ナノギャップ電極、UVキュア、フォトリソグラフィ

ナノギャップ電極は通常、電子ビーム描画により製作されるが、１点に収束させた電子ビームを走査するためスループットが低い。フォトリソグラフィは解像度が低いものの、並列処理でスループットが高い。本研究では、UVキュア処理したフォトレジストがシンナーや現像液に浸漬してもパターン崩れしないことを応用して、フォトリソグラフィにより近接露光では得られないサブµmのナノギャップ電極形成を試みた。