[14p-P8-1~5] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

[14p-P8-1] ミストCVD法によるGaP基板上ZnSの結晶成長

浅野 康幸¹、〇宇野 和行¹、田中 一郎¹ (1.和歌山大システム工)

キーワード：硫化亜鉛、エピタキシアル成長、ミストCVD法

水溶液をミスト化して結晶成長するミストCVD法を用いて、我々は硫化亜鉛(ZnS)の結晶成長を行い、結晶成長メカニズムや光学特性について系統的に検討した結果を報告してきた。今回我々は基板にGaP(100)単結晶基板を用いてZnSの結晶成長を行った。GaPとZnSの格子不整合度は0.7%である。
実験結果からは、比較試料であるSiO₂/Si(100)上のZnSが(111)配向して表面凹凸が500nm以上あるのに対し、GaP上のZnSは(100)配向して表面凹凸が200nm程度と小さくなっていることが確認された。