[14p-P9-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[14p-P9-14] SiC MOSFETにおけるイオン誘起電荷過剰収集

〇牧野 高紘¹、高野 修平²、原田 信介³、児島 一聡³、土方 泰斗²、大島 武¹ (1.量研機構、2.埼玉大、3.産総研)

キーワード：シングルイベント