[14p-P9-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[14p-P9-9] エタノール中でのレーザーアブレーション法にて作製したSiC微粒子の発光起源

〇山田 拓陸¹ (1.東理大理)

キーワード：SiC、レーザーアブレーション

4H-SiC基板をエタノール中でレーザアブレーションすることによりSiCナノ微粒子を作製した。SiCナノ微粒子の吸収端がターゲットに用いた基板よりもブルーシフトすることを観測した。これはSiCナノ微粒子における量子サイズ効果を示している、またターゲット基板とは異なる独自の発光スペクトルを観測した。我々は試料に熱処理を行うことで、SiC微粒子の発光の起源を解明することを試みている。