[15a-A22-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15a-A22-10] スパッタで堆積したp-NiO膜の電気特性

〇佐々木 公平^1,2、東脇 正高²、倉又 朗人¹、山腰 茂伸¹ (1.タムラ製作所、2.情通機構)

キーワード：酸化ニッケル、p型、スパッタ

NiOは良好なp型導電性を示す酸化物半導体材料である。本研究では、RFプラズマスパッタ法により成膜したNiO膜の、抵抗率およびコンタクト抵抗の堆積温度依存性を調べた。その結果、抵抗率は堆積温度を下げると単調に低下し、コンタクト抵抗は堆積温度が下がるほど上昇することがわかった。そして、堆積温度を200-300度程度にすることで、低抵抗率と低コンタクト抵抗を両立させられることが明らかになった。