[15a-A31-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15a-A31-5] Ni_1-x­Mg_xO膜におけるギャップ内準位の観測とバンドギャップの評価

〇木下 和俊¹、西谷 拓樹¹、西田 智彦¹、新宮原 正三¹、稲田 貢¹、齊藤 正¹ (1.関西大学)

キーワード：半導体、ワイドギャップ

RFスパッタリング法により,作製したNiMgO膜の光吸収特性を測定した。光吸収特性にはギャップ内準位による光吸収が観測できた。NiMgO膜のバンドギャップを評価した。