[15a-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15a-B1-10] 界面顕微光応答法によるn-GaN自立基板表面の波形モフォロジーの2次元評価

〇塩島 謙次¹、橋爪 孝典¹、堀切 文正²、田中 丈士²、三島 友義³ (1.福井大院工、2.サイオクス、3.法政大学)

キーワード：GaN、界面顕微光応答法、波形表面モフォロジー

n-GaN表面に現れる波形モフォロジー(うねり)に着目し、界面顕微光応答法と顕微PL法で評価を行った。レーザー顕微鏡像から電極表面が約50 nm波打っていることを確認した。光電流像、PL像においても同様なうねりが検出された。光電流の減少した領域でYL強度が高くなっている。本サンプルではSiとCの濃度が拮抗しており、光電流が減少した領域ではC濃度が高く、補償により高抵抗化したと考えられる。