[15a-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15a-B1-12] 自立GaN基板上p-n接合ダイオードの信頼性試験

〇堀切 文正¹、太田 博²、成田 好伸¹、吉田 丈洋¹、北村 寿朗¹、中村 徹²、三島 友義² (1.サイオクス、2.法政大)

キーワード：GaN、diode、信頼性

自立GaN基板上にMOVPE法によりp-n接合ダイオード成長し、素子サイズの異なるダイオードに対して電流負荷試験を行う事で、デバイスの信頼性を調査した。電流負荷試験は、電流コンプライアンスを徐々に変化させることで行った。電流負荷試験の結果、10^-7[A]の電流コンプライアンスでは劣化は起こらなかった。一方、10^-6[A]以上の電流コンプライアンスでは、電流コンプライアンスに達する逆方向電圧が徐々に低下した。