結晶性Geを用いたフレキシブル薄膜トランジスタの実証

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13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[15a-B10-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年9月15日(木) 09:00 〜 12:15 B10 (展示控室1)

葉文昌(島根大)、岡田竜弥(琉球大)

10:00 〜 10:15

〇東英実¹、中野茉莉央¹、工藤康平¹、藤田裕一¹、山田晋也¹、金島岳¹、角田功²、中島寛³、浜屋宏平¹ (1.阪大基礎工、2.熊本高専、3.九大産学連携センター)

キーワード：薄膜トランジスタ、ゲルマニウム、フレキシブルエレクトロニクス