[15a-B12-1~10] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

△ [15a-B12-4] 分子動力学法および分子軌道法を用いたGeSn混晶内のフォノン再現に関する考察

〇(P)富田 基裕^1,2,3、小椋 厚志²、渡邉 孝信¹ (1.早大理工、2.明大理工、3.学振特別研究員PD)

キーワード：半導体、IV-IV族混晶、分子動力学法

本研究ではラマン分光法によるIV-IV族混晶評価の確立を目的として、分子動力学(MD)法と分子軌道法によるGeSn混晶のポテンシャル検討とフォノン物性予測を行った。Pure-Snのフォノン分散は過去の実験値をおおむね再現した。また、GeSnのフォノン周波数に対するSn濃度依存性も予測ができた。3体ポテンシャルを用いたMD計算によってGeSnのフォノン物性予測がある程度立てられる事を示せたと考える。