[15a-B3-1~9] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[15a-B3-3] P⁺およびSb⁺イオン注入Ge薄膜へのレーザーアニールの影響

〇(M1)酒井 駿也¹、山村 和也¹、西垣 宏¹、蓮池 紀幸¹、播磨 弘¹、Woo Sik Yoo² (1.京工繊、2.WaferMasters Inc.)

キーワード：ゲルマニウム、不純物、レーザーアニール