[15a-C302-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-C302-2] X線透過法による溶液法SiC結晶成長の溶液表面形状の経時変化の観察

〇酒井 武信¹、加渡 幹尚²、大黒 寛典²、原田 俊太³、宇治原 徹³ (1.名大 未来社会創造機構、2.トヨタ自動車㈱、3.名大 未来材料・システム研究所)

キーワード：SiC溶液成長、その場観察

SiC溶液成長技術は高品質バルク結晶を実現できる可能性の大きい手法であり、溶液表
面に対する種結晶の相対的位置関係により、溶液の流れや温度勾配が異なることによる結晶
成長面の性状が異なることがある。特に、接液後の種結晶を溶液表面より上方へ引き上げて形成
される架橋すなわちメニスカスを利用した結晶成長法においては、メニスカスにより温度差を生
じさせるために、この温度差が結晶成長を決定する重要な要因の一つとなる。そこで、開発した
X線その場観察手法を用いて、結晶成長に伴うメニスカスの高さの時間的変化測定したところ、24時間の結晶成長の間にメニスカスの高さが3.5～5mm増加することを見出した。