[15a-C302-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-C302-6] BおよびVドーピングによる4H-SiCエピタキシャル膜のキャリア寿命の制御

〇宮澤 哲哉¹、俵 武志^2,3、土田 秀一¹ (1.電中研、2.産総研、3.富士電機)

キーワード：炭化ケイ素、キャリア寿命、エピタキシャル成長

4H-SiCエピ膜のキャリア寿命の制御を目的として、ボロンおよびバナジウムをドーピングしたエピ成長を行った。エピ成長時におけるドーピング原料の導入量を変化させることにより、4H-SiC中のボロンおよびバナジウムの密度を変化させられることを確認した。また、ボロンおよびバナジウム密度が増加するにつれ、キャリア寿命が減少することを明らかにした。