2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[15a-C302-1~12] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2016年9月15日(木) 09:00 〜 12:15 C302 (日航30階鳳凰)

加藤 智久(産総研)

11:00 〜 11:15

[15a-C302-8] 三フッ化塩素ガスによる炭化珪素薄膜形成装置クリーニング方法開発-熱分解炭素被膜の三フッ化塩素ガス耐腐食性調査-

塩田 耕平1、羽深 等1、伊藤 英樹2、三谷 慎一3、高橋 至直3 (1.横国大院工、2.ニューフレアテクノロジー、3.関東電化工業)

キーワード:SiCエピタキシャルリアクタ、クリーニング、三フッ化塩素

炭化珪素(SiC)エピタキシャルウエハを化学気相堆積(CVD)法を用いて作製する装置をクリーニングの際にはClF3ガスがサセプタを腐食する可能性があるので、それを防ぐための物質を探索する必要がある。そこで、試料台の被膜材料として熱分解炭素を用いて耐腐食性を調査したところ、480℃までClF3ガスに耐腐食性を有することを確認したので、本報で詳細を報告する。