09:30 〜 11:30
[15a-P11-1] InGaAs/InAs/GaAs(111)A成長時の格子緩和機構
キーワード:InGaAs、メタモルフィック、X線回折
我々は、GaAs(111)A面上にInAs中間層を導入することにより、高品質な格子緩和したメタモルフィックInGaAsを形成できることを報告している。今回、作製した構造に関してXRD-RSM及び断面STEMを用いた詳細な構造解析を行い、InAs中間層による格子緩和機構についての考察を行ったので報告する
一般セッション(ポスター講演)
15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
2016年9月15日(木) 09:30 〜 11:30 P11 (展示ホール)
09:30 〜 11:30
キーワード:InGaAs、メタモルフィック、X線回折