[15a-P11-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[15a-P11-3] Ga堆積速度およびSb分子線圧のGaSb量子ドット形成への影響

〇川津 琢也¹、野田 武司¹、佐久間 芳樹¹ (1.物材機構)

キーワード：半導体、量子ドット

本研究では、Ga堆積速度およびSb分子線圧がGaSb量子ドットの形成へ与える影響を調べた。GaSb量子ドットは、さまざまなGa堆積速度およびSb分子線圧の条件のもとで、GaAs(100)基板上にStranski–Krastanovモードで成長した。形成したGaSb量子ドットのサイズや密度は原子間力顕微鏡(AFM)を用いて調べた。その結果、高いGa堆積速度(~ 0.73 ML/s)や低いSb分子線圧(≤ 1.2e-7 Torr)では、GaSb量子ドットは形成されないことがわかった。また、ドット密度は、Ga堆積速度またはSb分子線圧を増加させると、始めは増加するが、その後、減少した。この時、V-III 比が約3.6の条件で、ドット密度が最大(~ 1e+11 cm^-2)となることがわかった。得られた実験データは、レート方程式に基づく計算モデルと比較した。