[15a-P11-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[15a-P11-5] As₂分子線を用いて成長したInAs量子ドットへのGaAsキャップの影響

〇林 佑真¹、尾崎 信彦¹、大河内 俊介²、池田 直樹³、杉本 喜正³ (1.和歌山大学シス工、2.NEC、3.物材機構)

キーワード：InAs量子ドット、As2分子線