[15p-A21-1~13] 窒化物半導体特異構造の科学　～新機能の発現と理解～

[15p-A21-10] 逆メサ加工GaNテンプレートを用いたGaNの選択成長

〇板垣 憲広¹、永利 圭¹、井本 良¹、岡田 成仁¹、西宮 智靖²、松尾 文晴²、只友 一行¹ (1.山口大学院・創成科学、2.サムコ(株))

キーワード：窒化ガリウム、逆メサエッチング、選択成長

サファイアとGaNとの大きな熱膨張係数差によるクラックが発生し、自立GaN基板の作製の歩留りが悪い結果が報告されている。我々はICP-RIE装置を用いて、GaNの側壁面が逆テーパとなるGaN逆メサ加工技術を見出した[1]。本研究では、歩留りの高い自立GaN基板作製に向けて、GaN逆メサ加工技術により、GaNメサ加工技術と比べてサファイアとGaNの接触面積割合が小さくなる加工基板を作製し、凸部表面からのGaNの選択成長に成功したので報告する。