[15p-A21-1~13] 窒化物半導体特異構造の科学　～新機能の発現と理解～

[15p-A21-13] 様々な成長法による窒化物半導体ナノ構造の作製とデバイス応用

〇天野 浩^2,3,4、服部 達也¹、Lekhal Kaddour²、Bae Si-Young² (1.名大電情シ、2.名大IMaSS、3.名大VBL、4.名大ARC)

キーワード：GaN ナノワイヤ、成長法

MBE、MOVPE、HVPEそれぞれの成長法において、従来のプレーナー構造の成長と比較したナノワイヤ構造成長の特徴、及び得られたナノワイヤについて、プレーナー構造と比較した特性について議論する。