[15p-A21-1~13] 窒化物半導体特異構造の科学　～新機能の発現と理解～

△ [15p-A21-4] ScAlMgO₄(0001)基板上In_xGa_1-xN薄膜における格子整合近傍での組成引き込み効果

〇(D)尾崎 拓也¹、船戸 充¹、川上 養一¹ (1.京大院工)

キーワード：窒化物半導体、InGaN、ScAlMgO4

InGaN系発光素子の長波長領域における効率低下の原因の一つは，高In組成InGaNとGaNの大きな格子不整合である．ScAlMgO₄(SCAM)基板はIn組成が約17%のInGaNと格子整合するため，無歪のInGaN/SCAM 上に高In組成InGaN活性層を作製すれば，格子不整合を大幅に抑制できると期待される．本発表では，InGaN/SCAM薄膜において組成の引き込み効果について報告する．