[15p-A23-1~20] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15p-A23-19] X線トポグラフ法によるGaN結晶の断面試料の評価(1)

〇宮川 理子¹、北野 祐子¹、井上 絵美子¹、秋本 晃一¹ (1.日本女子大理)

キーワード：X線トポグラフ、GaN、界面

本研究ではシンクロトロン放射光を用いたX線トポグラフ法によって、GaN結晶の欠陥の原因やひずみの原因の解析のための欠陥評価を行った。大面積で、結晶面の傾きと結晶面間隔に着目した結晶状態の解析を行うことが目的である。撮影したトポグラフ画像を切り出し、結晶面の傾きと結晶面間隔の伸縮を分離させた画像を作成する。本報告ではHVPE法でc面方向に成長した試料のm断面の解析について論ずる。