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[15p-A25-2] アルコールガスソース法によるRu触媒からの単層カーボンナノチューブ成長
キーワード:単層カーボンナノチューブ、Ru、化学気相成長法
単層カーボンナノチューブは様々な電気的特性を持つことからエレクトロニクスへの応用が期待されている。これまで私たちはSWNTをPtから成長させた。しかしPtはコスト高い為、Ruに着目した。本研究では私たちはAl2O3/SiO2/Si基板にRuを触媒として使用しCVD法によりSWNT成長を行った。私たちは成長温度500℃の成長に成功した。我々の結果からRuはSWNT成長の触媒として高い活性を持ち、Ru触媒はSWNTの低温成長の可能性を示した。