[15p-A34-1~19] 13.10 化合物太陽電池

△ [15p-A34-15] GaAs薄層/Si接合の硬X線光電子分光－電子状態への熱処理効果

〇(M2)山條 翔二¹、小川 智輝¹、尹 翔至¹、梁 剣波¹、ソダーバンル ハッサネット²、渡辺 健太郎²、杉山 正和²、保井 晃³、池永 英司³、重川 直輝¹ (1.大阪市大工、2.東大工、3.JASRI)

キーワード：多接合太陽電池、表面活性化ボンディング、硬X線光電子分光法

我々は表面活性化ボンディング法を用いて多接合型太陽電池を作製し、太陽電池の変換効率向上を目指している。今までの研究から我々は接合時のAr照射による界面でのアモルファス層の形成が変換効率の減少につながると考えている。しかし、接合界面の電子状態の変化は未解明な部分が多い。そこで我々は硬X線光電子分光法を用いて界面の電子状態の評価を行った。