[15p-A34-1~19] 13.10 化合物太陽電池

[15p-A34-4] 量子ドット太陽電池の高効率化に向けたAlGaAs母体材料中のInAs量子ドット構造制御

〇吉川 弘文^1,2,3、渡邉 克之^1,2、小谷 晃央^1,2,3、岩本 敏^1,2、和泉 真³、荒川 泰彦^1,2 (1.東大ナノ量子機構、2.東大生研、3.シャープ)

キーワード：量子ドット、太陽電池、中間バンド

中間バンド型量子ドット太陽電池は超高効率太陽電池として期待されている。今回我々は、母体材料として用いる高品質なAl_0.32Ga_0.68As(~1.9 eV：単一中間バンド型太陽電池の母体材料バンドギャップの最適値)の成長条件を確立するとともに、InAs量子ドット構造を形成し、キャップ層厚みを変えることで中間準位のエネルギー位置の制御が可能であることを明らかにしたので、報告する。