2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[15p-B10-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年9月15日(木) 13:45 〜 18:30 B10 (展示控室1)

佐々木 実(豊田工大)

16:45 〜 17:00

[15p-B10-11] 熱フィラメント法で生成した水素ラジカルによる大気圧下でのSiCl4の分解

岡本 裕二1,2、堤 大耀3、石垣 隆正3、Fatima Zohra Dahmani4、角谷 正友2 (1.筑波大、2.物材機構、3.法政大、4.USTO-MB.)

キーワード:高純度シリコン、水素ラジカル、シーメンス法

シリコン太陽電池の原料である高純度シリコンは、SiO2をSiHCl3にし、水素ガス(H2)で還元することで製造される(シーメンス法)。シーメンス法では、Si収率が低いことが課題であるが、我々は水素ラジカルを用いることで収率の向上を試みている。本研究では、熱フィラメント法を用いて水素ラジカルを発生させ、その濃度を測定した。また、クロロシラン系原料ガスと混合し還元することで、シリコンの生成も試みた。