[15p-B2-1~14] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[15p-B2-12] トンネルFETのデバイスシミュレーションに向けた非均一電界型バンド間トンネルモデル

〇浅井 栄大¹、福田 浩一¹、服部 淳一¹、佐野 伸行² (1.産総研、2.筑波大物工)

キーワード：トンネルFET、バンド間トンネル、非均一電界

本研究ではトンネルFET のより正確なデバイスシミュレーションに向けて、WKB近似と類似したバンド間トンネルモデルを考案した。このWKB型の計算モデルでは、ポテンシャルの非均一な形状変化、即ち電界分布の非均一性の効果を取り入れる事ができる。均一な電界を用いている従来の計算モデルとの比較から、電界の非均一性がトンネルFETの特性に及ぼす影響について議論する。