[15p-B2-1~14] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[15p-B2-2] 水分子が吸着したGeO₂/Ge及びSiO₂/Si構造のAP-XPSスペクトルの比較

〇有馬 健太¹、森 大地¹、岡 博史¹、細井 卓治¹、川合 健太郎¹、Liu Zhi²、渡部 平司¹、森田 瑞穂¹ (1.阪大院工、2.バークレー国立研)

キーワード：酸化物、ゲルマニウム、水吸着

放射光を光源としたambient-pressure XPSを用いて、超高真空中及び、水蒸気雰囲気下の二つの条件下においてGeO₂/Ge構造及び、SiO₂/Si構造を観測した。そして、Ge基板上のGeO₂薄膜はSi上のSiO₂とは異なり、X線照射とは無関係に、水蒸気に触れるだけで酸化膜の正帯電が進行することが示唆される結果を得た。