2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[15p-B9-1~17] 13.3 絶縁膜技術

2016年9月15日(木) 13:15 〜 17:45 B9 (展示ホール内)

手塚 勉(東芝)、知京 豊裕(物材機構)

13:15 〜 13:30

[15p-B9-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Effects of nitrogen bonding on para-/ferroelectric transition of HfO2

Lun Xu1、Tomonori Nishimura1、Shigehisa Shibayama1、Takeaki Yajima1、Shinji Migita2、Akira Toriumi1 (1.The Univ. of Tokyo、2.AIST)

キーワード:HfO2, ferroelectric, nitrogen doping