[15p-B9-1~17] 13.3 絶縁膜技術

[15p-B9-5] 液相堆積法による(Ba, Sr)TiO₃の堆積条件検討

〇(M2)國光 俊作¹、羽路 伸夫¹ (1.横国大院工)

キーワード：液相堆積法、誘電体薄膜、チタン酸バリウムストロンチウム

DRAMやFeRAMなどの高誘電体を利用した高速メモリのために，液相堆積（LPD）法による誘電体材料の生成方法が検討されている。(Ba,Sr)TiO₃はBaとSrの含有比によって強誘電性から常誘電性へ変わる物質であり，その基本構成物SrTiO₃の堆積条件を参考にして(Ba,Sr)TiO₃のLPD堆積を行った。これにより，非常に残留分極の小さい薄膜が得られると同時に，溶液濃度によって薄膜のヒステリシスループに変化が生じた。