[15p-C302-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [15p-C302-4] p型SiCの電気化学エッチングにおけるエッチピット形成

〇(M1)榎薗 太郎¹、木本 恒暢¹、須田 淳¹ (1.京大院工)

キーワード：SiC、電気化学エッチング、エッチピット

p型SiCのエッチング手法の一つに電気化学エッチング(ECエッチング)がある。ECエッチングを行うと、転位が存在する場所にピットが形成されるが、貫通螺旋転位(TSD)、貫通刃状転位(TED)、基底面転位(BPD)によってピットの形状が大きく変化した。BPDに関しては溶融KOHエッチングと同じような形状となったが、TSD、TEDに関しては特徴的な形状となった。この違いは、根本的なエッチングメカニズムの違いにより生じたと考えられる。