2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[15p-C302-1~18] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2016年9月15日(木) 13:45 〜 19:00 C302 (日航30階鳳凰)

土田 秀一(電中研)、谷本 智(日産アーク)

16:00 〜 16:15

[15p-C302-8] レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡によるSiC ウエハ/デバイスの局所特性評価

中西 英俊1、西村 辰彦1、北村 藤和1、水端 稔1、酒井 裕司2、川山 巌2、斗内 政吉2 (1.SCREEN、2.阪大レーザー研)

キーワード:テラヘルツ波、ワイドギャップ半導体、シリコンカーバイド

レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡(LTEM)は、半導体などの試料に対して、パルスレーザーを照射した時に発生するTHz波を検出し・可視化する技術である。昨年、LTEM技術をワイドギャップ半導体材料のGaNウエハに適用し、新規評価技術としての有効性を示した。今回、ワイドギャップ半導体材料のSiCウエハ/SiCデバイスよりTHz波を検出・イメージングに成功したので報告する。