[16a-A24-1~12] 16.3 シリコン系太陽電池

[16a-A24-10] バックコンタクト型ヘテロ接合Si太陽電池におけるa-Si:H表面電界層の効果

〇野毛 宏¹、高岸 秀行¹、齊藤 公彦¹、近藤 道雄^1,2 (1.福島大、2.産総研)

キーワード：ヘテロ接合、太陽電池、表面電界

バックコンタクト型ヘテロ接合Si太陽電池において、表面にn型とi型のa-Si:H層を積層した表面電界(FSF)層の効果をシミュレーションおよび実験で調べた。n層厚10nmの試料と異なり、n層のない試料では、外部量子効率スペクトルが白色バイアスの有無により大きく変化した。光強度依存性を測定したところ、表面n層のない試料では0.2sunを下回る光強度で効率の低下が見られ、低照度では表面電界層は有用であると考えられる。