2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[16a-A24-1~12] 16.3 シリコン系太陽電池

2016年9月16日(金) 09:00 〜 12:15 A24 (201A)

大橋 史隆(岐阜大)

11:00 〜 11:15

[16a-A24-8] 遷移金属酸化物/SiO2/結晶Siヘテロ接合コンタクト界面における仕事関数

〇(PC)神岡 武文1、林 豊1、磯貝 勇樹1、中村 京太郎2、大下 祥雄1 (1.豊田工大、2.明治大)

キーワード:太陽電池、ヘテロ接合、仕事関数

アモルファスSiやトンネル酸化膜を用いたpassivated contactセルでは、電極仕事関数がセル性能に与える影響が非常に大きい。実デバイスで重要なのはバルクでの仕事関数値ではなく、コンタクト界面における値である。本研究ではMoOxを例として遷移金属酸化物/SiO2/Si型のヘテロ接合コンタクト界面における電極仕事関数を、MOSキャパシタ素子のC-V特性の観点から調べた結果を報告する。