[16a-A32-1~9] 17.3 層状物質

[16a-A32-3] HfO₂パッシベーションによるHfS₂ FETの特性改善

〇金澤 徹¹、Upadhyaya Vikrant¹、雨宮 智宏^1,2、石川 篤^3,2、鶴田 健二³、田中 拓男^2,1、宮本 恭幸¹ (1.東工大、2.理研、3.岡大)

キーワード：電界効果トランジスタ、遷移金属ダイカルコゲナイド、原子層堆積法

HfS₂は高い電子移動度とバンドギャップが期待される遷移金属ダイカルコゲナイド材料である。その一方でHfS₂を用いた電子デバイスの作製プロセスは未成熟であり、優れたデバイス性能の実現にはその確立が不可欠である。本報告では、HfS₂トランジスタへの原子層堆積法によるHfO₂パッシベーションの効果について調査している。HfS₂表面のHfO₂パッシベーションによりドレイン電流の向上とヒステリシスの顕著な削減が確認された。