[16a-A32-1~9] 17.3 層状物質

[16a-A32-5] ジデシルホスホン酸(C₁₂H₂₅-PA)をゲート絶縁膜に用いたMoS₂ FETの作製

〇居駒 遼¹、川那子 高暢¹、小田 俊里¹ (1.東工大未来研)

キーワード：半導体、層状物質、二硫化モリブデン