[16a-A33-1~9] 17.2 グラフェン

[16a-A33-7] グラフェン/3C-SiC(111)/4H-SiC(0001) の昇華法による成長

〇関根 佳明¹、熊倉 一英¹、日比野 浩樹^1,2 (1.NTT物性基礎研、2.関西学院大理工)

キーワード：グラフェン、3C-SiC、昇華法

グラフェン/3C-SiC(111)/4H-SiC(0001)を赤外線アニール炉での昇華法による簡便な手法で成長した。立方晶3C-SiCは、六方晶4H-(6H-)SiCより電気分極が小さく、基板からグラフェンへのキャリアドープが少ないことなどが期待できるが、研究は多くない。今回4H-SiC上に3C-SiCを成長し、さらにグラフェンを成長した。成長試料はTEM、ラマンで評価し高品質を確認した。